ДОСЛІДЖЕННЯ ФІЗИЧНИХ ПРОЦЕСІВ І РОЗРОБКА МЕТОДІВ РАДІАЦІЙНОЇ МОДИФІКАЦІЇ ПАРАМЕТРІВ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ ПРИЛАДІВ ОПТОЕЛЕКТРОНІКИ
DOI:
https://doi.org/10.17721/2519-481X/2022/74-01Ключові слова:
твердотільна електроніка, радіаційні зміни, статистичні методи аналізу, фотоприймальні пристроїАнотація
Експлуатація виробів твердотільної електроніки в полі іонізуючих випромінювань може істотно змінювати їх властивості, сприяючи передчасному руйнуванню або втраті необхідних для нормальної роботи апаратури технічних характеристик. Спостерігаються у своїй зміни або зумовлюються низкою специфічних процесів, розглянутих вище. Розрізняють оборотні та незворотні зміни. До необоротних (залишкових) відносять радіаційні зміни, що зберігаються частково або повністю після припинення опромінення. Величина радіаційних змін визначається кількістю енергії, що поглинається матеріалами при взаємодії з випромінюванням, а також швидкістю, з якою ця енергія передається. Вона залежить від виду випромінювання та його параметрів (енергетичного спектра, щільності потоку, інтенсивності та ін.), а також від ядерно-фізичних характеристик матеріалів. Критерії радіаційної стійкості пристроїв, що фотоприймають. Критерій параметричної надійності пристроїв, що фотоприймають сформульований, виходячи з того, що об'єкт, що розглядається, погіршує свої параметри поступово як при збільшенні тривалості впливу, так і дози випромінювання. Призначення пристроїв, що фотоприймають, обмеження, що накладаються на критерій їх працездатності, а також фізика впливу радіації дозволяють розглядати пристрої, що фотоприймають як об'єкт, що функціонує в умовах шуму. Це дозволяє застосувати статистичні методи аналізу. За такого підходу ми можемо використовувати добре вивчений математичний апарат перевірки статистичних гіпотез.
Пропонуються три критерії радіаційної стійкості фотоприймальних пристроїв. Перший – відношення сигнал/шум у трактуванні достатніх статистик, другий – критерій середньої помилки виявлення (критерій Котельникова) та третій – критерій Байєсовського ризику.
У цій статті розглянуто фізичні процеси та розробку методів радіаційної модифікації параметрів приладів напівпровідникових приладів оптоелектроніки.
Посилання
1. Vavilov V.S. Effect of radiation on semiconductors / V.S. Vavilov, N.P. Kekelidze, L.S. Smirnov. -
Moscow: Nauka, 1988 .-- 192 p.
2. Lenkov S.V. Physical and technical foundations of radiation technology of semiconductors / S.V.
Lenkov, V.A. Mokritsky, D.A. Peregudov, G.T. Tarielashvili. - Monograph. - Odessa: Astroprint, 2002,297 p.
3. Garkavenko A.S. Radiation modification of the physical properties of wide-gap semiconductors and
the creation of high-power lasers on their basis / Lvov: ZUKTs, 2012. - 258 p.
4. Banzak OV New generation semiconductor detectors for radiation monitoring and dosimetry of
ionizing radiation / O.V. Banzak, O.V. Maslov, V.A. Mokritsky. - Monograph. - Odessa, 2013. - Publishing
house "VMV". - 220 p.
5. Bouchet J.M. PWR primary flow masurements by correlation analysis of nitrogen-16 fluctuations /
J.M. Bouchet, et al. – Progress in Nuclear Energy. – 1982. – Vol. 9.
6. Awadalla S.A. Characterization of detector-grade CdZnTe crystals grown by traveling heater method
(THM) / S.A. Awadalla, J. Mackenzie, H. Chen, eds. // Journal of Crystal Growth. – Vol. 312, issue 4. – 2010.
– 507-513c.
7. Grybos P. Front-end Electronics for Multichannel Semiconductor Detector Systems; EuCARD
Editorial Series on Accelerator Science and Technology, Vol.08 / Institute of Electronic Systems Warsaw
University of Technology . – Warsaw: 2010. – 201 p.
8. Dumitrescu A. Comparison of a digital and an analogical gamma spectrometer at low count rates / A. Dumitrescu // U.P.B. Sci. Bull., Series A. – Vol. 73. – Iss. 4, 2011. – P. 127-138.
9. Maslov O. Passive Computer Gamma- Tomography of Nuclear Fuel / O. Maslov, V. Mokritsky, O. Banzak, // ANIMMA. Third International Conference on Advancements in Nuclear Instrumentation Measurement Methods and their Applications – Marseille, June 23-27, 2013. – Book of Abstracts – Р. 51.
10. Maslov O.V. The Improved CdZnTe Dose Rate Probe / O.V. Maslov, M.V. Maksimov, L.L. Kalnev // 2008 IEEE Nuclear Science Symposium, Medical Imaging Conference and 16th Room Temperature Semiconductor Detector Workshop – Dresden: 19–25 Oct. 2008. – P. 12-87.
11. Maslov O. Multiple energies passive computer tomography of nuclear fuel / O. Maslov // Proceedings of the International Ukrainian-Japanese Conference on Scientific and Industrial Cooperation – Odesa 24 – 25 October 2013. – Р. 114-116.
12. Masuruk K. Dopant incorporation during liquid phase epitaxy / K. Masuruk, T.Bryskewicz // J. Appl. Phys., 1981. – V. 52. – N3. – part 1. – P. 1347–1350.
13. Mokritsky V.А., Maslov O.V., Bansak O.V. Methods and means controls of nuclear materials and state of protective barriers at nuclear power plants // Collection of scientific works of the Military Institute of the Taras Shevchenko National University of Kyiv. - К .: MIKNU, 2019. - № 63. – С. 66 – 72.
14. Mokritskij V.A., Maslov O.V., Banzak O.V. The detector on basis of CdZnTe-gauge for systems radiating-technological control // Collection of scientific works of the Military Institute of the Taras Shevchenko National University of Kyiv. - К .: MIKNU, 2018. - № 58. - С. 68-73.
Завантаження
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Ця робота ліцензується відповідно до ліцензії Creative Commons Attribution 4.0 International License.
